Transistor Mosfet Dual N-Channel Max Vdss 30V Courant de drain 33A G33n03D3
Description
Informations de base
Modèle NON. | G33N03D3 |
Certificat | RoHS, OIN |
Forme | CMS |
Fonction | Commutateur Transistor |
Structure | Tranchée |
Structure d'encapsulation | Transistor scellé en plastique |
Niveau d'énergie | Puissance moyenne |
Matériel | Silicium |
Vdss | 30V |
IDENTIFIANT | 33A |
RDS | 11m |
Pd | 20W |
Emballer | dfn3.3*3.3 |
Action | en stock |
Goûter | Disponible |
Statut sans plomb | Sans Pb |
Spq | 5000 pièces/bobine |
Forfait transport | Carton |
Marque déposée | CONFORT |
Origine | Chine |
Code SH | 8541290000 |
Description du produit
Description du produitTRANSISTOR MOSFET double canal N MAX VDSS 30V courant de drain 33A G33N03D3
Numéro d'article | G33N03D3 |
VDSS | 30V |
IDENTIFIANT | 33A |
RDS | 11mΩ @ vgs=4.5V |
Vème | 0.66V |
Emballer | DFN3.3*3.3 |
Ciss | 938pF |
CRSS | 99pF |
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Nos avantages1. Spécialiste et professionnel Mosfet.
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