Transistor à effet de champ de puissance en ligne Irf1010npbf nouveau et original Irf1010n

Description du produit Ultra faible résistance à l'état dynamique dv/dt Rating 175°C Température de fonctionnement Commu

Envoyer une demande

Description

Informations de base

Modèle NON.	IRF1010N
Structure d'encapsulation	Transistor à puce
Niveau d'énergie	Haute puissance
Matériel	Silicium
Numéro de produit	Irf520npbf
Description	Mosfet N-CH 100V 9.7A To220
Catégorie	Mosfet
Produit	Irf520
Forfait transport	/
spécification	/
Marque déposée	RCS
Origine	Chn

Description du produit

Résistance à l'état passant ultra faible Indice dv/dt dynamique Température de fonctionnement de 175 °C Commutation rapide Entièrement résistant aux avalanches

veuillez contacter notre

Précédent: Liste Transistors AMP Prix Amplificateur Alimentation à découpage Mosfet IGBT Original 24V 200V Triode Power Transistor

Suivant: Transistor à effet de champ Irfp4868 à-247 canal N 70A 300V Irfp4868pbf

Notre contact

Envoyer maintenant

Catégories