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Transistor à effet de champ Mosfet Irfb4229 Irfb4229pbf
Attributs du produit Produits connexesType d'emballageChamps d'applicationInformations sur la sociétéNotre expositionFAQ
Description
Informations de base
| Modèle NON. | IRFB4229PBF |
| Structure | Planaire |
| Structure d'encapsulation | Transistor à puce |
| Niveau d'énergie | Haute puissance |
| Matériel | Silicium |
| Polarité/Type de canal | Canal N |
| Numéro de produit | Irfb4229pbf |
| Condition | Tout neuf et original |
| Expédition par | DHL\UPS\FedEx\EMS\HK Postdhl\UPS\FedEx\EMS\HK Post |
| Catégorie | Transistors |
| Technologie | Mosfet |
| Forfait transport | Tube |
| spécification | fer et plastique |
| Origine | Chn |
Description du produit
Attributs du produit
Type FET | Canal N |
Technologie | MOSFET (oxyde métallique) |
Courant - Vidange continue (Id) @ 25°C | 46A (TC) |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 46 mOhms à 26 A, 10 V |
Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 250µA |
Vg (Max) | ±30V |
Fonction FET | - |
Dissipation de puissance (maximum) | 330W (TC) |
Produits connexesType d'emballageChamps d'applicationInformations sur la sociétéNotre expositionFAQ
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